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MMBZxxVAWT1G Series, SZMMBZxxVAWT1G Series
TYPICAL CHARACTERISTICS
t r ? 10 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAYS TO
100
90
80
100
50% OF I PP .
PEAK VALUE ? I PP
70
60
50
t P
HALF VALUE ?
I PP
2
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
0
0
25
50 75 100 125 150 175
200
t, TIME (ms)
Figure 5. Pulse Waveform
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ? C)
Figure 6. Pulse Derating Curve
100
10
UNIDIRECTIONAL
RECTANGULAR
WAVEFORM, T A = 25 ? C
BIDIRECTIONAL
100
10
RECTANGULAR
WAVEFORM, T A = 25 ? C
BIDIRECTIONAL
UNIDIRECTIONAL
1
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
1000
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 7. Maximum Non ? repetitive Surge
Power, P pk versus PW
Power is defined as V RSM x I Z (pk) where V RSM is
the clamping voltage at I Z (pk).
http://onsemi.com
4
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 8. Maximum Non ? repetitive Surge
Power, P pk (NOM) versus PW
Power is defined as V Z (NOM) x I Z (pk) where
V Z (NOM) is the nominal Zener voltage measured at
the low test current used for voltage classification.
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SZMMBZ5222BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 2.5V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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